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規(guī)格型號(hào)
品牌
參數(shù)描述
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購買數(shù)量
單價(jià)
操作
產(chǎn)品說明：RF Mosfet 48 V 50 mA 2.496GHz ~ 2.69GHz 17.7dB 15W 6-PDFN (7x6.5)
封裝：DFN-6
產(chǎn)品說明：750 W連續(xù)波，700-1300 MHz，50 V LDMOS射頻功率晶體管
封裝：NI-1230-4S
產(chǎn)品說明：750 W連續(xù)波，700-1300 MHz，50 V LDMOS射頻功率晶體管
封裝：NI-1230-4H
產(chǎn)品說明：N 溝道增強(qiáng)型側(cè)向 MOSFET
封裝：ACP-1230S-4L2S
產(chǎn)品說明：A5G18H610W19N 1805–1880MHz，85W平均值，48V Airfast?射頻功率GaN晶體管
封裝：OM- 780- 4S4S
產(chǎn)品說明：N 溝道增強(qiáng)型側(cè)向 MOSFET
封裝：ACP-1230S-4L2S
產(chǎn)品說明：N 溝道增強(qiáng)型側(cè)向 MOSFET
封裝：ACP-1230S-4L2S
產(chǎn)品說明：N 溝道增強(qiáng)型側(cè)向 MOSFET
封裝：ACP-1230S-4L2S
產(chǎn)品說明：1805-1880 MHz，71 W平均值，28 V Airfast? LDMOS射頻功率晶體管
封裝：ACP-1230S-4L2S
產(chǎn)品說明：728-960 MHz，2 W平均值，48 V Airfast? LDMOS射頻功率晶體管
封裝：24-PQFN-EP
產(chǎn)品說明：3400-3600 MHz，7.6 W平均值，48 V Airfast?射頻功率GaN晶體管
封裝：DFN-6
產(chǎn)品說明：射頻 Mosfet 48 V 40 mA 100MHz ~ 2.69GHz 13.9dB 8W 6-PDFN（7x6.5）
封裝：6-LDFN
產(chǎn)品說明：射頻 Mosfet 48 V 688 mA 720MHz ~ 960MHz 18.9dB 120W OM-1230-4L
封裝：OM-1230-4L
產(chǎn)品說明：快速射頻功率 LDMOS 晶體管，720-960 MHz，平均 107 W，48 V
封裝：OM-780-4
產(chǎn)品說明：射頻 Mosfet 48 V 400 mA 720MHz ~ 960MHz 19.7dB 53dBm OM-780G-4L
封裝：OM-780G-4L
產(chǎn)品說明：射頻 Mosfet 48 V 700 mA 595MHz ~ 851MHz 17.5dB 120W OM-1230-4L
封裝：OM-1230-4L電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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