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商品名稱(chēng):N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TO-247AC
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:7550 件

IRFP260NPBF是采用 TO-247 封裝的 200V 單 N 溝道功率 MOSFET。第五代HEXFET功率MOSFET采用先進(jìn)工藝技術(shù),實(shí)現(xiàn)了單位硅面積極低的導(dǎo)通電阻。這一優(yōu)勢(shì)結(jié)合HEXFET功率MOSFET廣為人知的快速開(kāi)關(guān)特性與堅(jiān)固耐用器件設(shè)計(jì),為設(shè)計(jì)人員提供了適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景的高效可靠器件。
TO-247AC封裝適用于商業(yè)工業(yè)領(lǐng)域的高功率應(yīng)用場(chǎng)景,當(dāng)功率需求超出TO-220器件承載范圍時(shí)尤為適用。相較于早期TO-218封裝,TO-247AC因其隔離式安裝孔設(shè)計(jì)而具備更優(yōu)性能。
特性(IRFP260NPBF)
? 先進(jìn)工藝技術(shù)
? 動(dòng)態(tài)dv/dt額定值
? 175°C工作溫度
? 快速開(kāi)關(guān)特性
? 全雪崩額定
? 并聯(lián)操作簡(jiǎn)便
? 驅(qū)動(dòng)要求簡(jiǎn)單
? 無(wú)鉛封裝
產(chǎn)品屬性(IRFP260NPBF)
FET 類(lèi)型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 50A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 40 毫歐 @ 28A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 234 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 4057 pF @ 25 V
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-247AC
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-TSDSON-8
5000
OptiMOS? 6 40V 功率MOSFET,融合業(yè)界領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻與卓越的開(kāi)關(guān)性能
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠(chǎng)或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
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