IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V，8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下：

特征描述

VCE = 1200 V

IC = 8 A

低飽和壓降VCEsat = 2 V（Tvj = 150°C）

高抗短路能力（8 μs）

寬的dv/dt 可控范圍

技術(shù)規(guī)格

IGBT 類型：-

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：9 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：9 A

不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，3A

功率 - 最大值：37 W

開關(guān)能量：210μJ（導(dǎo)通），160μJ（關(guān)斷）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：24 nC

25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：19ns/89ns

測試條件：600V，3A，60 歐姆，15V

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-263-3

此外，IGB08N120S7器件適用于多種工業(yè)應(yīng)用，包括：

工業(yè)驅(qū)動(dòng)器?：作為高壓輔助電源的理想選擇

輔助工業(yè)裝置?：提供可靠的電力供應(yīng)

工業(yè)SMPS（開關(guān)電源）?：用于高效電力轉(zhuǎn)換?

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