IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達150 kHz的開關能力，電流范圍為66A。高開關速度和低傳導損耗的結合為電源設計人員提供了一種新的高價值開關應用選擇。該產品具有以下主要參數(shù)：
IGBT 類型：PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：66 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：150 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，24A
功率 - 最大值：190 W
開關能量：340μJ（導通），650μJ（關斷）
輸入類型：標準
柵極電荷：62 nC
25°C 時 Td（開/關）值：19ns/125ns
測試條件：400V，24A，10 歐姆，15V
反向恢復時間 (trr)：25 ns
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-247-3
此外，IXGH28N60B3D1晶體管適用于各種高效率的電源和電子設備，特別是在通信電源、工業(yè)傳動、醫(yī)療設備、汽車電子和平板顯示等領域有廣泛應用?。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。
答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答：可以通過網站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答：大部分商品信息中都有標注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域，產品技術特點為高壓、高功率，涵蓋了…
CS19-12HO1
CS19-12HO1 是一款性能穩(wěn)健的標準恢復型晶閘管（SCR），采用經典的TO-220-3通孔封裝，非常適合用于需要控制大功率的交流電場合。
IXFH150N20T
IXFH150N20T是200V 150A N溝道增強型功率MOSFET晶體管。IXFH150N20T規(guī)格參數(shù)FET類型：N溝道工藝：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓(Vdss)：200 V持續(xù)漏極電流(Id) @ 25C：150A (Tc)驅動電壓(最大導通電阻, 最小導通電阻)：10V導通電阻(最大) @ Id, Vgs：15mΩ @ 75A, 10V閾值…
IXFH150N17T2
IXFH150N17T2是175V 150A N溝道增強型功率MOSFET晶體管。IXFH150N17T2規(guī)格參數(shù)FET類型：N溝道工藝：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓(Vdss)：175 V連續(xù)漏極電流(Id) @ 25C：150A (Tc)驅動電壓(最大導通電阻，最小導通電阻)：10V導通電阻(Rds On)(最大值) @ Id, Vgs:12毫歐 @…
IXFP14N85XM
IXFP14N85XM 是一款高性能 N 溝道增強型功率 MOSFET，屬于 Ultra-Junction X-Class 系列。
IXYP50N65C3
IXYP50N65C3：650V，用于 20-60kHz 開關的極光穿透 IGBT晶體管，TO-220-3IXYP50N65C3 規(guī)格參數(shù)：產品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術: Si 封裝 / 箱體: TO-220-3安裝風格: Through Hole 配置: Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V 集電極—射極飽和電壓: 2.1 …
IXYH80N90C3
IXYH80N90C3：900V，165A，用于 20-50 kHz 開關的高速 IGBT晶體管，TO-247-3產品詳情：型號：IXYH80N90C3封裝：TO-247-3類型：IGBT 晶體管IXYH80N90C3 產品屬性：系列：GenX3?, XPT?電壓 - 集射極擊穿（最大值）：900 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：165 A電流 - 集電…電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
